單溫區(qū)管式爐只有一個恒定溫區(qū),而
雙溫區(qū)管式爐有2個溫區(qū)。一般來說,單溫區(qū)管式爐用的要相對多些,雙溫區(qū)在做火貨處理等試驗(yàn)更有優(yōu)勢。
那怎么選擇zui為適合自己的管式爐呢?
如果只是固相燒結(jié)樣品的話,單溫區(qū)管式爐是*足夠的,畢竟不會一根管子去同時燒幾個溫度不同的樣品。
單溫區(qū)管式爐采用的電阻絲加熱沒使用的是KANTHALA1的電阻絲,電阻均勻,發(fā)熱量均衡,而市面上絕大多數(shù)的廠家采用的是FE-CR-ALLOYDOPEDBYMO的電阻絲,有時候會出現(xiàn)電阻不均衡,發(fā)熱不均勻,從而影響樣品的燒結(jié)。配有通訊接口和軟件,可以直接通過電腦控制爐子的各個參數(shù),并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況,爐子的實(shí)際升溫曲線電腦會實(shí)時繪出,并能把每個時刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來,隨時可以調(diào)出。
雙溫區(qū)管式爐的加熱原件則是采用硅鉬棒與硅碳棒,有兩個加熱區(qū),兩個溫區(qū)可以獨(dú)立控制,設(shè)置不同的溫度。硅鉬棒建議放在高溫區(qū),其zui高溫度可達(dá)到1200℃,并可通過調(diào)節(jié)兩個溫區(qū)的控溫程序使?fàn)t管內(nèi)溫場形成一溫度梯度。兩個溫區(qū)分別由兩個獨(dú)立的溫控系統(tǒng)來控制,而且都為PID30段程序化控溫。此系列管式爐可以用CVD方法來生長納米材料和制備各種薄膜.
雙溫區(qū)管式爐的升降速率快,是各大高校,研究院,工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結(jié),氣氛還原,CVD實(shí)驗(yàn),真空退火的理想設(shè)備。