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1英寸高真空磁控濺射頭--HVMSS-SPC-1-LD

簡要描述：HVMSS-SPC-1-LD是一款磁控濺射頭，可安裝直徑為1英寸的靶材?？膳c直流、脈沖直流和射頻電源相匹配，以至于可以濺射各種靶材（如金屬、陶瓷、磁性和非磁性靶材等）。而且高真空的結構設計，可提高鍍膜質量。

  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質：生產(chǎn)廠家
  • 更新時間：2024-10-21
  • 訪  問  量：2718

詳細介紹

    HVMSS-SPC-1-LD是一款磁控濺射頭，可安裝直徑為1英寸的靶材。可與直流、脈沖直流和射頻電源相匹配，以至于可以濺射各種靶材（如金屬、陶瓷、磁性和非磁性靶材等）。而且高真空的結構設計，可提高鍍膜質量。

 

技術參數(shù)

特點

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  • 采用高質量的不銹鋼和陶瓷材料制作
  • 采用電磁場的有元計算法來設計永磁體，以得到較高的磁場強度和均強場分布
  • 磁體表面涂有一層保護層，以防止冷卻水的腐蝕，延長其使用壽命
  • 標準的HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配
  • 安裝是采用標準真空接頭，便于操作
  • 更換靶材較為簡單，無需調整濺射頭的高度
  • 配有一塊銅靶

濺射頭

 

（點擊圖片查看詳細資料）

  • 濺射頭的直徑:46.3mm
  • 所用靶的直徑:1.0 ± 0.02"(25.4mm)
  • 靶材的zui大厚度: 1/8" (3mm) 
  • 磁環(huán):NdFeB稀土永磁鐵      
  • 桿的直徑:      3/4" O.D.

 

所需功率

DC (zui大) 250 W

RF （zui大）100 W

zui大陰極濺射電流

3A

陰極濺射電流

200 - 1,000 V

可選壓力范圍

~1 mTorr 至1 Torr

濺射厚度均勻性圖

 

  • 注意：此圖是采用磁控濺射得的到一個200nm的薄膜，所用靶材為1英寸的銅靶。薄膜是沉積在氧化的硅片上，實驗參數(shù)為：
  • 功率：直流150W
  • 真空環(huán)境：10mTorr(Ar)
  • 靶材與基片的距離：75mm

水冷卻

  • 所需水流量： 1/2 GPM
  • 進水溫度：<20 C
  • 水管接頭：0.25" O.D快插頭

接頭

  • 電路連接接頭：標準的HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配
  • 本公司會贈送一高真空快速接頭
  • 此快速接頭的內徑為0.75"，可將濺射頭安裝在真空腔體上，真空腔體上的安裝孔直徑為1英寸，真空腔體的壁厚不得大于1英寸
     

 

產(chǎn)品長度

14英寸（355.6mm)

產(chǎn)品重量

1.36kg

傾斜裝置

  • 濺射頭相對于桿zui大可傾斜+/- 45度
  • 傾斜裝置上有刻度線，可觀察到靶頭傾斜的角度

可選配件

  • 循環(huán)水冷機，流量為16L / min ，水箱容積為6L
  • 本公司可提供各種配件可與HVMSS-SPC-1-LD配套，讓客戶自己搭建磁控濺射儀

質保期

一年質保期終生維護

應用

  • 在真空腔體中HVMSS-SPC-1-LD磁控濺射頭可制作各種薄膜，下面是一些應用：
  • 薄膜涂覆
  • 半導體器件
  • 磁記錄介質
  • 超導薄膜
  • 量子計算器件
  • MEMS
  • 生物傳感器
  • 納米技術
  • 超晶格
  • 顆粒膜
  • 記憶合金
  • 組合薄膜沉積
  • 光學薄膜

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