GaN薄膜

簡(jiǎn)要描述：氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過(guò)程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。

產(chǎn)品分類(lèi)

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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱(chēng)：

氮化鎵(GaN)薄膜

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過(guò)程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。

技術(shù)參數(shù)：

常規(guī)尺寸	dia50.8±1mm x 4um,10-25um. dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型注：可按客戶需求定制特殊堵塞方向和尺寸。
產(chǎn)品定位	C軸<0001>±1°
傳導(dǎo)類(lèi)型	N型；半絕緣型；P型
電阻率	R<0.05 Ohm-cm；半絕緣型R>10⁶Ohm-cm
位錯(cuò)密度	<1x10⁸Cm^-2
表面處理(鎵面)	AS Grown
有效值	<1nm
可用表面積	>90%

標(biāo)準(zhǔn)包裝：

1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝

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