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非極性GaN晶體基片

簡要描述：非極性GaN晶體基片

  • 產(chǎn)品型號(hào)：
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間：2024-10-22
  • 訪  問  量：2031

詳細(xì)介紹


產(chǎn)品名稱：

非極性氮化鎵(GaN)晶體基片

技術(shù)參數(shù)：

晶體定位面：

A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.

傳導(dǎo)類型：

N型；半絕緣型

電阻率：

R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm

表面粗糙度：

<0.5nm

位錯(cuò)密度：

<5x106Ω.cm

可用表面積：

>90%

TTV:

≤15um；


產(chǎn)品規(guī)格：

常規(guī)尺寸：10x5x0.5mm；

厚度公差：+/-0.05mm；

注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。

標(biāo)準(zhǔn)包裝：

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋

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